SJ 50033.36-1994 半导体分立器件.3CD050型功率晶体管详细规范
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ID： |
9B4F281055F04D0CA2E4DB1667247C25 |
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文件大小(MB)： |
0.44 |
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页数： |
11 |
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文件格式： |
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日期： |
2024-7-27 |
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中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/36-94,半导体分立器件,3CD050型功率晶体管,详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for,type 3CD050 power transistor,1994*09-30 发布1994-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,下载,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,3CD050型功率晶体管,详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for,type 3CD050 power transistor,SJ 50033/36-94,1范围,1.1主题內容,本规范规定了 3CDO5O型功率晶体管（以下简称器件）的详细要求,1-2适用范围.,本规范适用于器件的研制、生产和采购,L3分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1-3-1器件的等级,按GJB 33《半导体分立器件总规范》1.3条的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超,特军三级,分别用字母GP、GT和GCT表示,2引用文件,GB 4587—84双极型晶体管测试方法,GB 7581—87半导体分立器件外形尺寸,GJB 33—85 半导体分立器件总规范,GJB 128—86半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项耍求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3-2-1引出端材料和涂层,引出端材料应为可伐。引出端表面应为锡层或银层,中华人民共和国电子工业部1994-0f30发布1994-12-01 实施,一］——,SJ 50033/36-94,3.2 2器件结构,采用外延台面、三重扩散及高温冶金烧结结构,3.2.3外形尺寸,外形尺寸应符合GB 7581的B2-Q1C型及如下的规定。见图1,mm,符号、ぐ^,B2roic,min nom max,A,8. 63,12.19,翘L52,他0.光6 b 092,松2着86,d 5.4才,F 3.50,L B J3.9,ムL52,斷3.84 4.21,q 2射90 * 30. 40,尺13.58,凡b 82,S 16*89*,い40* 13,a 27. 17,1 基极2 发射极集电极接外壳,图!外形图,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3 」最大额定價,型 号,(W),VcBO,(V),VcR},CV),ド丽,(V),Ic,(A),Tエ,(C),T随,
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